AOWF10T60

功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO262F

制造商:alpha & omega semiconductor inc.

系列:-

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1346pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):28W(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):700毫欧 @ 5A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-262F

封装/外壳:TO-262-3 整包,I2Pak

标准包装:1,000

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